سامسونج تصنع بعض “رامات” هواتف أبل وإل جي القادمة

ذكر مؤخرا أن شركة سامسونج الكورية قد أعلنت عن بدء تصنيع جيل جديد من وحدات الذاكرة العشوائية من نوع DDR4 RAM، والمصنعة بدقة 20 نانومتر، فقد نشرت صحيفة كوريا تايمز الالكترونية تقريرا يفيد بأنه تم عمل صفقة كبيرة بين العملاق الكوري الجنوبي وكلا من شركة أبل و شركة إل جي، والتي تقدر بمليارات الدولارات، يقوم بموجبها أن شركة سامسونج تقوم بتزويد كلا الشركتين بالجيل الجديد من وحدات الذاكرة العشوائية الجديدة.

وتهدف شركة أبل الأمريكية إلى استخدام الجيل الجديد من الذاكرة في هاتفها القادم التي تنوي الكشف عنه مطلع مارس المقبل من خلال المؤتمر العالمي للهواتف MWC، والمقرر إقامته في مدينة برشلونة الاسبانية، في حين أن شركة إل جي تأمل في استخدام هذه الذاكرة الجديدة في هاتفها القادم والذي يحمل اسم LG G4.

كما ورد في التقرير أن شركة سامسونج سوف تكون مسئولة عن تصنيع جميع وحدات الذاكرة العشوائية الخاصة بهاتف LG G4، بينما سوف تلبي الشركة نصف احتياجات شركة أبل الأمريكية من وحدات الذاكرة العشوائية.

من الجدير بالذكر أن وحدات الذاكرة العشوائية الجديدة تصنع بحجم أصغر مقارنة بالجيل السابق منها، بالإضافة إلي أنها تعمل بضعف الأداء العادي.